STP16NF06

Symbol Micros: TSTP16NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 16A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP16NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
175 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5753 0,3644 0,2865 0,2613 0,2498
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP16NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1020 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3910
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP16NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4886 stk.
Anzahl Stück 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3226
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT