STP17NF25

Symbol Micros: TSTP17NF25
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 165 mOhm; 17A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP17NF25 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3229 1,0094 0,8360 0,7315 0,6959
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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