STP18N60M2

Symbol Micros: TSTP18N60M2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP18N60M2-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP18N60M2 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8896 1,4001 1,1656 1,1383 1,1110
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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