STP19NF20

Symbol Micros: TSTP19NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 160 mOhm; 15A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP19NF20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1234 0,8241 0,6602 0,5676 0,5344
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole