STP20NF06L

Symbol Micros: TSTP20NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 18V; 85mOhm; 20A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: STP20NF06L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8108 0,5130 0,4042 0,3688 0,3522
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ISC Hersteller-Teilenummer: STP20NF06L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8108 0,5130 0,4042 0,3688 0,3522
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 18V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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