STP20NF20

Symbol Micros: TSTP20NF20

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 125 mOhm; 18A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20NF20 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1435 stk.

Anzahl Stück	350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3818

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT