STP20NM60FD

Symbol Micros: TSTP20NM60FD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 290 mOhm; 20A; 192W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4166
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3168 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7177
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8550 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6228
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT