STP20NM60FD
Symbol Micros:
TSTP20NM60FD
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 290 mOhm; 20A; 192W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 290mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 192W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FD
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,4166 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FD
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3168 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,7177 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FD
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8550 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,6228 |
Widerstand im offenen Kanal: | 290mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 192W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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