STP21N90K5

Symbol Micros: TSTP21N90K5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 299 mOhm; 18,5A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 299mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP21N90K5 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 5,4289 4,3422 3,9207 3,6952 3,6428
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 299mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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