STP21N90K5

Symbol Micros: TSTP21N90K5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 299 mOhm; 18,5A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 299mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP21N90K5 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 5,6595 4,5267 4,0873 3,8522 3,7976
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 299mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT