STP21N90K5

Symbol Micros: TSTP21N90K5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 299 mOhm; 18,5A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 299mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP21N90K5 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 5,5988 4,4781 4,0434 3,8108 3,7568
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP21N90K5 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4300 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,7568
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP21N90K5 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1092 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,7568
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 299mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT