STP22NM60N
Symbol Micros:
TSTP22NM60N
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 220 mOhm; 16A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 220mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3134 | 1,8366 | 1,5981 | 1,5698 | 1,5415 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP22NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2900 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5415 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP22NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5415 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 220mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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