STP24NF10

Symbol Micros: TSTP24NF10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 60mOhm; 26A; 85W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP24NF10 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8250 stk.
Anzahl Stück 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3307
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP24NF10 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
27600 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2986
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP24NF10 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
15250 stk.
Anzahl Stück 1150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3044
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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