STP26NM60N

Symbol Micros: TSTP26NM60N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 165 mOhm; 20A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP26NM60N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,5480 2,2027 1,9973 1,8690 1,8200
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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