STP26NM60N
Symbol Micros:
TSTP26NM60N
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 165 mOhm; 20A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5203 | 2,1787 | 1,9756 | 1,8487 | 1,8002 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP26NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
450 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8837 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP26NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9800 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8002 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP26NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2200 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8002 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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