STP28N60M2

Symbol Micros: TSTP28N60M2

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 150 mOhm; 22A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	22A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP28N60M2 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

38 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,8737	2,4818	2,2538	2,1066	2,0520

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	22A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT