STP28NM50N
Symbol Micros:
TSTP28NM50N
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 21A 500V 150W 0.158Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 158mOhm |
| Max. Drainstrom: | 21A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 158mOhm |
| Max. Drainstrom: | 21A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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