STP2NK90Z

Symbol Micros: TSTP2NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 6,5 Ohm; 2,1A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP2NK90Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8953 0,5673 0,4488 0,4078 0,3896
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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