STP30NF10

Symbol Micros: TSTP30NF10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 45mOhm; 35A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP30NF10 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
145 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9552 0,7005 0,5637 0,4835 0,4552
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP30NF10 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1490 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4552
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP30NF10 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
14686 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4552
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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