STP30NF10
Symbol Micros:
TSTP30NF10
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 45mOhm; 35A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0408 | 0,7636 | 0,6132 | 0,5263 | 0,4957 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP30NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1130 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4957 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP30NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
33300 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4957 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP30NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
18686 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4957 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole