STP34NM60N
Symbol Micros:
TSTP34NM60N
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 105 mOhm; 31,5A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 105mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,3112 | 2,9551 | 2,7405 | 2,6014 | 2,5471 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP34NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1240 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5471 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP34NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4950 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5471 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 105mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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