STP34NM60N

Symbol Micros: TSTP34NM60N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 105 mOhm; 31,5A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 31,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP34NM60N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,3344 2,9758 2,7597 2,6196 2,5650
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 31,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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