STP35NF10

Symbol Micros: TSTP35NF10

Gehäuse:

N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 35mOhm; 40A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	115W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	115W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT