STP36NF06L

Symbol Micros: TSTP36NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 18V; 50mOhm; 30A; 70W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 18V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT