STP3N150

Symbol Micros: TSTP3N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 140 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 2,5A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3N150 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,0927 3,5187 3,2947 3,1757 3,1477
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 2,5A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: THT

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