STP3N150

Symbol Micros: TSTP3N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 140 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3N150 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,0482 3,4804 3,2589 3,1412 3,1135
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3N150 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1309 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,1135
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: THT