STP3NK60Z

Symbol Micros: TSTP3NK60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 3,6 Ohm; 2,4A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STP3NB60;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2569
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2587
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
20050 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2438
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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