STP3NK80Z

Symbol Micros: TSTP3NK80Z
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK80Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6855 0,4339 0,3416 0,3116 0,2977
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK80Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
7998 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3701
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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