STP3NK80Z

Symbol Micros: TSTP3NK80Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK80Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7054 0,4465 0,3515 0,3206 0,3064
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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