STP3NK90ZFP

Symbol Micros: TSTP3NK90ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 4,8 Ohm; 3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK90ZFP RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1316 0,8305 0,6658 0,5717 0,5387
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK90ZFP Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
32437 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5387
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK90ZFP Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5387
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole