STP40NF10

Symbol Micros: TSTP40NF10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP40NF10 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2025 0,8816 0,7085 0,6070 0,5724
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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