STP40NF10L

Symbol Micros: TSTP40NF10L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP40NF10L RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2421 0,9476 0,7837 0,6864 0,6531
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 17V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT

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