STP40NF10L

Symbol Micros: TSTP40NF10L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP40NF10L RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2331 0,9407 0,7780 0,6814 0,6484
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP40NF10L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
26265 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6484
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP40NF10L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6484
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 17V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT