STP40NF20

Symbol Micros: TSTP40NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 45mOhm; 40A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT