STP40NF10

Symbol Micros: TSTP4N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 7Ohm; 4A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP4N150 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,6238 6,1013 5,7806 5,5693 5,5194
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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