STP4NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP4NK60ZFP
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Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
144 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7089 0,4477 0,3545 0,3171 0,3078
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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