STP4NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8878 | 0,6517 | 0,5218 | 0,4486 | 0,4226 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4226 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4226 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
7950 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4226 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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