RCP55N06 TO220 REALCHIP

Symbol Micros: TSTP55NF06 REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-MOSFET; 60V; 25V; 19mOhm; 50A; 68W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO220
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RCP55N06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5754 0,3481 0,2668 0,2413 0,2297
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO220
Hersteller: RealChip
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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