STP55NF06FP

Symbol Micros: TSTP55NF06FP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8679 0,6368 0,5094 0,4387 0,4127
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
18107 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4127
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
18800 stk.
Anzahl Stück 1150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4127
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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