STP55NF06L
Symbol Micros:
TSTP55NF06L
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 20mOhm; 55A; 95W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
Max. Drainstrom: | 55A |
Maximaler Leistungsverlust: | 95W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1751 | 0,8614 | 0,6905 | 0,5922 | 0,5594 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
403000 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5594 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
235450 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,5594 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
11550 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5594 |
Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
Max. Drainstrom: | 55A |
Maximaler Leistungsverlust: | 95W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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