STP55NF06L

Symbol Micros: TSTP55NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 20mOhm; 55A; 95W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Max. Drainstrom: 55A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9263 0,6790 0,5460 0,4667 0,4410
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Max. Drainstrom: 55A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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