STP55NF06L

Symbol Micros: TSTP55NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 20mOhm; 55A; 95W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1862 0,8696 0,6971 0,5978 0,5647
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
550 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5647
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
118000 stk.
Anzahl Stück 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5647
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
29137 stk.
Anzahl Stück 1200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5647
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT