STP5NC70Z

Symbol Micros: TSTP5NC70Z

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 700V; 700V; 25V; 2Ohm; 4,6A; 100 W; -65 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	4,6A
Maximaler Leistungsverlust:	100W
Gehäuse:	TO220
Max. Drain-Source Spannung:	700V
Msx. Drain-Gate Spannung:	700V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: SGS Hersteller-Teilenummer: STP5NC70Z Gehäuse: TO220

Auf Lager:

91 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8002	0,5066	0,4001	0,3646	0,3480

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	4,6A
Maximaler Leistungsverlust:	100W
Gehäuse:	TO220
Max. Drain-Source Spannung:	700V
Msx. Drain-Gate Spannung:	700V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	THT