STP5NK100Z
Symbol Micros:
TSTP5NK100Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 3,7 Ohm; 3,5A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8529 | 1,4786 | 1,2647 | 1,1369 | 1,0904 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP5NK100Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
420 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0904 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP5NK100Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3500 stk.
| Anzahl Stück | 600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0904 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP5NK100Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7995 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0904 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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