STP5NK100Z

Symbol Micros: TSTP5NK100Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 3,7 Ohm; 3,5A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP5NK100Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8928 1,5105 1,2920 1,1614 1,1139
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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