STP5NK60Z

Symbol Micros: TSTP5NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Kanal MOSFET; 600V; 30V; 3Ohm; 5A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP5NK60Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Nettopreis (EUR) 0,8293 0,5255 0,4135 0,3747 0,3610
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Standard-Verpackung:
50/700
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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