STP5NK80Z
Symbol Micros:
TSTP5NK80Z
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,4 Ohm; 4,3A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1528 | 0,8799 | 0,7293 | 0,6375 | 0,6070 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP5NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
26950 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6070 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP5NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
13157 stk.
| Anzahl Stück | 750+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6070 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP5NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1203 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6070 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole