STP5NK80Z

Symbol Micros: TSTP5NK80Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,4 Ohm; 4,3A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP5NK80Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1148 0,8509 0,7053 0,6165 0,5870
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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