STP60N043DM9 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP60N043DM9
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N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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