STP60N043DM9 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP60N043DM9
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N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60N043DM9 Gehäuse:    
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 5,3248
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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