STP60NF06

Symbol Micros: TSTP60NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9889 0,7263 0,5820 0,4992 0,4708
Standard-Verpackung:
50/500
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5520
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8855 stk.
Anzahl Stück 900+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4708
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
21928 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4708
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT