STP60NF06L

Symbol Micros: TSTP60NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06L RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0925 0,8027 0,6436 0,5510 0,5201
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT

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