STP60NF06L

Symbol Micros: TSTP60NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06L RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0861 0,7980 0,6398 0,5478 0,5171
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
580 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5522
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF06L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
11900 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5171
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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