STP60NF10

Symbol Micros: TSTP60NF10
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP50NE08; STP50NF08;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Max. Drainstrom: 80A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF10 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
690 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9102
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF10 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
6950 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9102
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Max. Drainstrom: 80A
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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