STP60NF10
Symbol Micros:
TSTP60NF10
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP50NE08; STP50NF08;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5984 | 1,2749 | 1,0908 | 0,9798 | 0,9397 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6550 stk.
| Anzahl Stück | 600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9397 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
510 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9397 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
48800 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9397 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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