STP65N045M9 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTP65N045M9
Gehäuse:
N-Channel 650 V, 39 MOHM TYP, 5 Transistoren - FETs, MOSFETs - Singles
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 54A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 245W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 54A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 245W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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