STP65NF06

Symbol Micros: TSTP65NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP65NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1711 0,8938 0,7403 0,6486 0,6165
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP65NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6165
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP65NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
12299 stk.
Anzahl Stück 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6165
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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