STP65NF06
Symbol Micros:
TSTP65NF06
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole