STP6N60M2
Symbol Micros:
TSTP6N60M2
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 4.5A 600V 60W 1.2Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP6N60M2
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3900 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5029 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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