STP6N62K3

Symbol Micros: TSTP6N62K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 620V; 30V; 1,2 Ohm; 5,5A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 620V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6N62K3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9927 0,7291 0,5842 0,5011 0,4726
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 620V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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