STP6NK60Z

Symbol Micros: TSTP6NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 1,2 Ohm; 6A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STP6NC60;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6NK60Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
105 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 300+ 600+
Nettopreis (EUR) 1,1661 0,7766 0,6009 0,5629 0,5557
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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