STP6NK90Z
Symbol Micros:
TSTP6NK90Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4150 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7846 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4950 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,6826 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6501 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,7215 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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