STP6NK90Z

Symbol Micros: TSTP6NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6NK90Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6102 1,1946 0,9951 0,9714 0,9476
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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