STP75NF20

Symbol Micros: TSTP75NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 34mOhm; 75A; 190 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: THT