STP75NF75

Symbol Micros: TSTP75NF75
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP75NE75;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Msx. Drain-Gate Spannung: 75V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP75NF75 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1573 0,7677 0,5923 0,5604 0,5513
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Msx. Drain-Gate Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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