STP75NF75
Symbol Micros:
TSTP75NF75
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP75NE75;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 75V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3757 | 0,9637 | 0,7719 | 0,7340 | 0,7246 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP75NF75
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3700 stk.
| Anzahl Stück | 750+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7246 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP75NF75
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3850 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7246 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
| Nettopreis (EUR) | 1,1389 | 0,7577 | 0,5849 | 0,5659 | 0,5422 |
Standard-Verpackung: 50/100
Menge (Vielfache 1)
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