HSTP75NF75 HXY MOSFET

Symbol Micros: TSTP75NF75 HXY
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 7,2mOhm; 96A; 146W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP75NF75;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,2mOhm
Max. Drainstrom: 96A
Maximaler Leistungsverlust: 146W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: HSTP75NF75 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1344 0,7547 0,5825 0,5636 0,5401
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 7,2mOhm
Max. Drainstrom: 96A
Maximaler Leistungsverlust: 146W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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