KIA75NF75 TO220 KIA SEMICON TECH

Symbol Micros: TSTP75NF75 KIA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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80V 80A 9mOhm@10V,40A 240W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO220
Hersteller: KIA Semicon Tech
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO220
Hersteller: KIA Semicon Tech
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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