VBZM75NF75
Symbol Micros:
TSTP75NF75 VBS
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 9mOhm; 100A; 180 W; -55°C~150°C; STP75NF75-VB;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VBSEMI ELEC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VBSEMI ELEC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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