STP75NS04Z

Symbol Micros: TSTP75NS04Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 33V; 11mOhm; 80A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 33V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP75NS04Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
130 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2000 0,8407 0,6716 0,6411 0,6317
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 33V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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