STP75NS04Z

Symbol Micros: TSTP75NS04Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 33V; 11mOhm; 80A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 33V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP75NS04Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2028 0,8427 0,6732 0,6426 0,6332
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 33V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole